華高儀器于2025年08月01日發布了文章【日本電子JSM-IT800：多功能臺式熱場發射掃描電子顯微鏡】。作為在儀器設備行業服務了多年的經銷商，華高儀器有著專業的儀器銷售團隊以及售后服務人員，在采購前期能給客戶一套專業完善的采購方案以及及時響應的售后服務。

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在微觀結構觀察與元素分析領域，高精度的成像與分析工具對材料研究、工業檢測等工作具有重要意義。日本電子推出的JSM-IT800臺式熱場發射掃描電子顯微鏡，憑借整合的核心技術與多樣配置，在掃描電鏡領域受到關注。

1. 核心技術與系統整合

JSM-IT800整合了三項關鍵技術，為其性能提供支持：

- **浸沒式肖特基 Plus 場發射電子槍**：作為電子源，為儀器從高分辨率成像到快速元素分析提供基礎。

- **Neo Engine**：創新的電子光學控制系統，有助于優化電子束的操控與傳輸。

- **SEM Center**：采用無縫GUI系統，將一體化JEOL X射線能量色散譜儀(EDS)作為通用平臺，支持快速元素分析，提升操作與分析的連貫性。

2. 多樣化物鏡模塊與適用場景

JSM-IT800的物鏡采用可更換模塊設計，提供五種版本以適配不同需求：

- 混合型物鏡(HL)：屬于通用型FE-SEM。

- 超級混合物鏡(SHL/SHLs)：兩種版本各具功能，適用于更高分辨率的觀察和分析工作。

- 半浸沒式物鏡(i/is)：新開發的兩種版本，適用于納米材料、化學、新材料、半導體器件的觀察和分析。

3. 性能參數與檢測能力

不同版本的JSM-IT800在分辨率等參數上呈現差異。在1kV條件下，HL version的分辨率為1.3nm，is version為1.0nm，i version為0.7nm，SHLs version為1.1nm，SHL version為0.7nm。15kV時，is version分辨率為0.6nm，i version為0.5nm，SHLs version為0.6nm，SHL version為0.5nm。20kV時，HL version分辨率為0.7nm。分析狀態下，HL version在5kV、5nA、WD 10mm條件下分辨率為3.0nm；is version和i version在5kV、5nA、WD 8mm條件下分辨率為3.0nm；SHLs version和SHL version在5kV、5nA、WD 10mm條件下分辨率為3.0nm。

各版本的加速電壓范圍均為0.01-30kV。入射電流方面，HL version和is version的最大值為300nA，i version、SHLs version、SHL version的最大值為500nA。檢測器類型上，HL version配備SED、UED；is version配備SED、UID；i version配備SED、UID、UED；SHLs version和SHL version配備SED、UHD。

在分析功能上，HL version和SHL version支持EDS、WDS、EBSD、CL；is version和i version支持EDS、WDS、CL。

4. 探測器配置與信息獲取

JSM-IT800可配備多種探測器，助力獲取豐富信息：

- **閃爍體背散射電子探測器(SBED)**：在低加速電壓下也能產生清晰的成分襯度，且響應性較好，有助于獲取圖像。

- **多功能背散射電子探測器(VBED)**：能夠輔助獲取3D、形貌和成分襯度的圖像，為分析提供更多維度的信息。

這些探測器的配置，使得儀器能夠幫助用戶應對測量中的問題。

5. 可選配組件與擴展能力

為滿足不同場景的應用需求，JSM-IT800提供多種可選配組件，包括高位電子檢測器(UED)、背散射電子檢測器(BED)、閃爍體背散射電子檢測器(SBED)、多用途背散射電子檢測器(VBED)、透射電子檢測器(TED)等。同時，低真空相關的檢測器、電子背散射衍射(EBSD)、波譜儀(WDS)、軟X射線分光器(SXES)等也在可選范圍中。此外，探針電流檢測器、樣品臺導航系統、樣品室相機、操作桌、操作面板、LIVE-AI過濾器、SMILE VIEW™ Map等配件，進一步擴展了儀器的應用能力，使其能適應更多樣化的實驗與檢測需求。

JSM-IT800通過整合核心技術、提供多樣化配置及擴展選項，為不同領域的微觀觀察與元素分析工作提供了靈活且實用的工具，在材料科學、半導體等領域具有一定的應用價值。

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